VBGE1105
IC
TO-252
可供量大可议
VBGE1105
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道； 100V； 85A； RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
VBGE1105参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBGE1105概述
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道； 100V； 85A； RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=3V； 采用SGT技术
VBGE1105特性
暂无产品特性。
VBGE1105应用领域
暂无应用领域。