VBGE1102N
IC
TO-252
可供量大可议
VBGE1102N
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道； 100V； 35A； RDS(ON)=21(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.8V； 采用SGT技术
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
7
货期
现货
VBGE1102N参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
VBGE1102N概述
台积电流片， 长电科技封装； TO252； N—Channel沟道； 100V； 35A； RDS(ON)=21(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.8V； 采用SGT技术
VBGE1102N特性
暂无产品特性。
VBGE1102N应用领域
暂无应用领域。