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VBFB2317
IC

TO-251

可供量大可议

VBFB2317

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P功率场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于各种领域和模块。 TO251; P—Channel沟道, -30V; -40A; RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-2V

品牌

VBsemi

封装

TO-251

库存

29

货期

现货

VBFB2317参数

封装TO-251
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存29

VBFB2317概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P功率场效应晶体管, 采用Trench技术, 适用于各种领域和模块。 TO251; P—Channel沟道, -30V; -40A; RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-2V

VBFB2317特性

暂无产品特性。

VBFB2317应用领域

暂无应用领域。

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