VBFB18R05S
IC
TO-251
可供量大可议
VBFB18R05S
TO251； N—Channel沟道, 800V； 5A； RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
10
货期
现货
VBFB18R05S参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBFB18R05S概述
TO251； N—Channel沟道, 800V； 5A； RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBFB18R05S特性
暂无产品特性。
VBFB18R05S应用领域
暂无应用领域。