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VBFB17R08S
IC

TO-251

可供量大可议

VBFB17R08S

TO251; N—Channel沟道, 700V; 8A; RDS(ON)=550mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

品牌

VBsemi

封装

TO-251

库存

5

货期

现货

VBFB17R08S参数

封装TO-251
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

VBFB17R08S概述

TO251; N—Channel沟道, 700V; 8A; RDS(ON)=550mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V

VBFB17R08S特性

暂无产品特性。

VBFB17R08S应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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