VBFB1102M
IC
TO-251
可供量大可议
VBFB1102M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。 TO251； N—Channel沟道, 100V； 12A； RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
9
货期
现货
VBFB1102M参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
VBFB1102M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款一款单通道N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于汽车电子、工业控制、电源转换器、家用电器等多种领域和模块。 TO251； N—Channel沟道, 100V； 12A； RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBFB1102M特性
暂无产品特性。
VBFB1102M应用领域
暂无应用领域。