VBF2202K
IC
TO-251
可供量大可议
VBF2202K
TO251； P—Channel沟道, -200V； -3.6A； RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-4V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
1
货期
现货
VBF2202K参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 耗散功率(Pd) | 74W |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:200V 电流:2.5A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 700pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
| 商品型号 | VBF2202K |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00077 |
VBF2202K概述
TO251； P—Channel沟道, -200V； -3.6A； RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-4V
VBF2202K特性
- 表面贴装-提供卷带包装-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定-P沟道-快速开关-易于并联-符合RoHS标准-无卤
VBF2202K应用领域
暂无应用领域。