VBE3310
IC
TO-252-4
可供量大可议
VBE3310
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统领域的模块中。 TO252； 2个N—Channel沟道, 30V； 32A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252-4
库存
10
货期
现货
VBE3310参数
| 封装 | TO-252-4 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBE3310概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于需要高性能、高可靠性的电子系统领域的模块中。 TO252； 2个N—Channel沟道, 30V； 32A； RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
VBE3310特性
暂无产品特性。
VBE3310应用领域
暂无应用领域。