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VBE2658A
IC

TO-252

可供量大可议

VBE2658A

TO252; P—Channel沟道, -60V; -35A; RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-3V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

5

货期

现货

VBE2658A参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存5

VBE2658A概述

TO252; P—Channel沟道, -60V; -35A; RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-3V

VBE2658A特性

暂无产品特性。

VBE2658A应用领域

暂无应用领域。

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