VBE2609
IC
TO-252
可供量大可议
VBE2609
TO252； P—Channel沟道, -60V； -75A； RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
34
货期
现货
VBE2609参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34 |
VBE2609概述
TO252； P—Channel沟道, -60V； -75A； RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
VBE2609特性
暂无产品特性。
VBE2609应用领域
暂无应用领域。