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VBE2406
IC

TO-252

可供量大可议

VBE2406

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET器件, 采用Trench技术, 适用于各种电子设备和系统中。 TO252; P—Channel沟道, -40V; -90A; RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.5~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

51

货期

现货

VBE2406参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存51

VBE2406概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P型MOSFET器件, 采用Trench技术, 适用于各种电子设备和系统中。 TO252; P—Channel沟道, -40V; -90A; RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.5~-2.5V

VBE2406特性

暂无产品特性。

VBE2406应用领域

暂无应用领域。

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