VBE2251K
IC
TO-252
可供量大可议
VBE2251K
TO252； P—Channel沟道, -250V； -6A； RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V； 是一款单极性P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种功率控制和电源管理应用。
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
50
货期
现货
VBE2251K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
VBE2251K概述
TO252； P—Channel沟道, -250V； -6A； RDS(ON)=1000mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-2~-4V； 是一款单极性P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于各种功率控制和电源管理应用。
VBE2251K特性
暂无产品特性。
VBE2251K应用领域
暂无应用领域。