VBE2104N
IC
TO-252
可供量大可议
VBE2104N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能单P型场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于多个领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -100V； -40A； RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
133
货期
现货
VBE2104N参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 133 |
VBE2104N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能单P型场效应晶体管， 采用Trench技术， 适用于多个领域和模块。 TO252； P—Channel沟道, -100V； -40A； RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
VBE2104N特性
暂无产品特性。
VBE2104N应用领域
暂无应用领域。