VBE2102M
IC
TO-252
可供量大可议
VBE2102M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型Trench技术MOSFET， 适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块， 为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。 TO252； P—Channel沟道, -100V； -8.8A； RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
141
货期
现货
VBE2102M参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 141 |
VBE2102M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型Trench技术MOSFET， 适用于电源管理、汽车电子系统、LED照明和工业控制设备等多种领域和模块， 为各种应用场景提供高性能的功率开关解决方案。 TO252； P—Channel沟道, -100V； -8.8A； RDS(ON)=250mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
VBE2102M特性
暂无产品特性。
VBE2102M应用领域
暂无应用领域。