VBE18R02S
IC
TO-252
可供量大可议
VBE18R02S
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种电子应用领域。 TO252； N—Channel沟道, 800V； 2.8A； RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
VBE18R02S参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBE18R02S概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用SJ_Multi-EPI技术， 适用于各种电子应用领域。 TO252； N—Channel沟道, 800V； 2.8A； RDS(ON)=2380mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBE18R02S特性
暂无产品特性。
VBE18R02S应用领域
暂无应用领域。