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VBE16R15S
IC

TO-252

可供量大可议

VBE16R15S

TO252; N—Channel沟道, 600V; 30A; RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2.5~4.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

18

货期

现货

VBE16R15S参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存18

VBE16R15S概述

TO252; N—Channel沟道, 600V; 30A; RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2.5~4.5V

VBE16R15S特性

暂无产品特性。

VBE16R15S应用领域

暂无应用领域。

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