VBE16R05
IC
TO-252
可供量大可议
VBE16R05
TO252； N—Channel沟道, 600V； 5.5A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用Plannar技术单N型MOSFET， 适用于低功率开关电源、LED驱动器、工业控制等领域。
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
5
货期
现货
VBE16R05参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBE16R05概述
TO252； N—Channel沟道, 600V； 5.5A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用Plannar技术单N型MOSFET， 适用于低功率开关电源、LED驱动器、工业控制等领域。
VBE16R05特性
暂无产品特性。
VBE16R05应用领域
暂无应用领域。