VBE16R04
IC
TO-252
可供量大可议
VBE16R04
TO252； N—Channel沟道, 600V； 4A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用Plannar技术单N型场效应晶体， 适用于各种电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
4
货期
现货
VBE16R04参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
VBE16R04概述
TO252； N—Channel沟道, 600V； 4A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V； 是一款采用Plannar技术单N型场效应晶体， 适用于各种电子领域和模块。
VBE16R04特性
暂无产品特性。
VBE16R04应用领域
暂无应用领域。