VBE165R12S
IC
TO-252
可供量大可议
VBE165R12S
TO252； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
Brand
VBsemi
Package
TO-252
Stock
5
货期
现货
VBE165R12SParameters
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBE165R12S概述
TO252； N—Channel沟道, 650V； 12A； RDS(ON)=340mΩ@VGS=10V, VGS=30V； Vth=2~4V
VBE165R12S特性
暂无产品特性。
VBE165R12S应用领域
暂无应用领域。