VBE165R02
IC
TO-252
可供量大可议
VBE165R02
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 2A； RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
42
货期
现货
VBE165R02参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42 |
VBE165R02概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极N型场效应晶体管， 采用Plannar技术制造， 适用于各种电源和电路模块。 TO252； N—Channel沟道, 650V； 2A； RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=2~4V
VBE165R02特性
暂无产品特性。
VBE165R02应用领域
暂无应用领域。