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VBE1615A
IC

TO-252

可供量大可议

VBE1615A

台积电流片, 长电科技封装; TO252; N—Channel沟道; 60V; 58A; RDS(ON)=10(mΩ); VGS=±20V; Vth=2.5V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

TO-252

库存

4

货期

现货

VBE1615A参数

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

VBE1615A概述

台积电流片, 长电科技封装; TO252; N—Channel沟道; 60V; 58A; RDS(ON)=10(mΩ); VGS=±20V; Vth=2.5V; 采用Trench技术

VBE1615A特性

暂无产品特性。

VBE1615A应用领域

暂无应用领域。

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