VBE1307
IC
TO-252
可供量大可议
VBE1307
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 设计用于各种功率控制和驱动应用。 采用Trench工艺， 适用于各种功率控制和驱动应用， 包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252； N—Channel沟道, 30V； 80A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
9
货期
现货
VBE1307参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
VBE1307概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 设计用于各种功率控制和驱动应用。 采用Trench工艺， 适用于各种功率控制和驱动应用， 包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252； N—Channel沟道, 30V； 80A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~2.5V
VBE1307特性
暂无产品特性。
VBE1307应用领域
暂无应用领域。