VBE1252M
IC
TO-252
可供量大可议
VBE1252M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单路N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于中高功率电子设备和模块。 TO252； N—Channel沟道, 250V； 17A； RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
67
货期
现货
VBE1252M参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 67 |
VBE1252M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高性能的单路N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于中高功率电子设备和模块。 TO252； N—Channel沟道, 250V； 17A； RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBE1252M特性
暂无产品特性。
VBE1252M应用领域
暂无应用领域。