VBE1154N
IC
TO-252
可供量大可议
VBE1154N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型的Trench技术MOSFET， 适用于电源管理、医疗设备、消费电子等领域。 TO252； N—Channel沟道, 150V； 40A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
15
货期
现货
VBE1154N参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 15 |
VBE1154N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型的Trench技术MOSFET， 适用于电源管理、医疗设备、消费电子等领域。 TO252； N—Channel沟道, 150V； 40A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
VBE1154N特性
暂无产品特性。
VBE1154N应用领域
暂无应用领域。