VBE1105
IC
TO-252
可供量大可议
VBE1105
台积电流片， 长电科技封装； 单N型场效应晶体管， 采用了Trench技术， 适用于需要中功率转换和可靠功率控制的领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 100A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
26
货期
现货
VBE1105参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 26 |
VBE1105概述
台积电流片， 长电科技封装； 单N型场效应晶体管， 采用了Trench技术， 适用于需要中功率转换和可靠功率控制的领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 100A； RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBE1105特性
暂无产品特性。
VBE1105应用领域
暂无应用领域。