VBE1104N
IC
TO-252
可供量大可议
VBE1104N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 40A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
48
货期
现货
VBE1104N参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
VBE1104N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N型场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。 TO252； N—Channel沟道, 100V； 40A； RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
VBE1104N特性
暂无产品特性。
VBE1104N应用领域
暂无应用领域。