VBC9P3033
IC
TSSOP-8
可供量大可议
VBC9P3033
台积电流片， 长电科技封装； TSSOP8； P+P—Channel沟道； -30V； -5.2A； RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
TSSOP-8
库存
5
货期
现货
VBC9P3033参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
VBC9P3033概述
台积电流片， 长电科技封装； TSSOP8； P+P—Channel沟道； -30V； -5.2A； RDS(ON)=36(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-1.7V； 采用Trench技术
VBC9P3033特性
暂无产品特性。
VBC9P3033应用领域
暂无应用领域。