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VBC8338
IC

TSSOP-8

可供量大可议

VBC8338

台积电流片, 长电科技封装; 是一款DualN+P型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于各种应用场景, 为电路设计提供了灵活的解决方案。 TSSOP8; N+P—Channel沟道, ±30V; 6.2/-5A; RDS(ON)=22/45mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=±1~3V

品牌

VBsemi

封装

TSSOP-8

库存

96

货期

现货

VBC8338参数

封装TSSOP-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存96

VBC8338概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款DualN+P型MOSFET, 采用Trench技术, 适用于各种应用场景, 为电路设计提供了灵活的解决方案。 TSSOP8; N+P—Channel沟道, ±30V; 6.2/-5A; RDS(ON)=22/45mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=±1~3V

VBC8338特性

暂无产品特性。

VBC8338应用领域

暂无应用领域。

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