VBC6N2014
IC
TSSOP-8
可供量大可议
VBC6N2014
台积电流片， 长电科技封装； 是一款共源极N+N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于需要高性能功率放大和开关控制的电子设备， 为各种电路模块提供稳定可靠的功率输出和控制功能。 TSSOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 7.6A； RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.6~1.6V
品牌
VBsemi
封装
TSSOP-8
库存
785
货期
现货
VBC6N2014参数
| 封装 | TSSOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 785 |
VBC6N2014概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款共源极N+N沟道场效应管， 采用Trench技术， 适用于需要高性能功率放大和开关控制的电子设备， 为各种电路模块提供稳定可靠的功率输出和控制功能。 TSSOP8； 2个N—Channel沟道, 20V； 7.6A； RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.6~1.6V
VBC6N2014特性
暂无产品特性。
VBC6N2014应用领域
暂无应用领域。