VBA5311
IC
SO-8
可供量大可议
VBA5311
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N沟道和P沟道MOSFET， 采用Trench技术， 具有高性能和可靠性。 该产品适用于各种电源和功率控制应用。 SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 11/-10.5A； RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
11
货期
现货
VBA5311参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
VBA5311概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款双N沟道和P沟道MOSFET， 采用Trench技术， 具有高性能和可靠性。 该产品适用于各种电源和功率控制应用。 SOP8； N+P—Channel沟道, ±30V； 11/-10.5A； RDS(ON)=11/21mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1 / -0.9~2.2/-2.5V
VBA5311特性
暂无产品特性。
VBA5311应用领域
暂无应用领域。