VBA3316G
IC
SO-8
可供量大可议
VBA3316G
台积电流片， 长电科技封装； 是一款半桥N+N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要半桥电路控制的场合， 可广泛应用于各种电源管理和驱动控制模块中。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 8/15A； RDS(ON)=17/9mΩ@VGS=10V, VGS=16V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
10
货期
现货
VBA3316G参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
VBA3316G概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款半桥N+N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要半桥电路控制的场合， 可广泛应用于各种电源管理和驱动控制模块中。 SOP8； 2个N—Channel沟道, 30V； 8/15A； RDS(ON)=17/9mΩ@VGS=10V, VGS=16V； Vth=1~2.5V
VBA3316G特性
暂无产品特性。
VBA3316G应用领域
暂无应用领域。