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VBA3310
IC

SO-8

可供量大可议

VBA3310

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双路N+N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。 SOP8; 2个N—Channel沟道, 30V; 13.5A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

319

货期

现货

VBA3310参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存319

VBA3310概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双路N+N沟道MOSFET, 采用Trench工艺, 可广泛应用于各种电子设备的功率开关和控制模块。 SOP8; 2个N—Channel沟道, 30V; 13.5A; RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

VBA3310特性

暂无产品特性。

VBA3310应用领域

暂无应用领域。

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