VBA1208N
IC
SO-8
可供量大可议
VBA1208N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高耐压N通道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。 SOP8； N—Channel沟道, 200V； 5.2A； RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
56
货期
现货
VBA1208N参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 56 |
VBA1208N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款高耐压N通道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。 SOP8； N—Channel沟道, 200V； 5.2A； RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2V
VBA1208N特性
暂无产品特性。
VBA1208N应用领域
暂无应用领域。