VBA1203M
IC
SO-8
可供量大可议
VBA1203M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。 SOP8； N—Channel沟道, 200V； 3A； RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
830
货期
现货
VBA1203M参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 830 |
VBA1203M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于低功率开关、电源管理、LED驱动、传感器接口和汽车电子等多个领域。 SOP8； N—Channel沟道, 200V； 3A； RDS(ON)=260mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
VBA1203M特性
暂无产品特性。
VBA1203M应用领域
暂无应用领域。