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VBA1158N
IC

SO-8

可供量大可议

VBA1158N

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N型MOS场效应管, 采用Trench技术, 适用于小型电路板的设计和布局。 SOP8; N—Channel沟道, 150V; 5.4A; RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

品牌

VBsemi

封装

SO-8

库存

3

货期

现货

VBA1158N参数

封装SO-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

VBA1158N概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单通道N型MOS场效应管, 采用Trench技术, 适用于小型电路板的设计和布局。 SOP8; N—Channel沟道, 150V; 5.4A; RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

VBA1158N特性

暂无产品特性。

VBA1158N应用领域

暂无应用领域。

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