VBA1104N
IC
SO-8
可供量大可议
VBA1104N
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小型化和高集成度的应用。 SOP8； N—Channel沟道, 100V； 9A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
96
货期
现货
VBA1104N参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
VBA1104N概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单极性N型MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于需要小型化和高集成度的应用。 SOP8； N—Channel沟道, 100V； 9A； RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBA1104N特性
暂无产品特性。
VBA1104N应用领域
暂无应用领域。