VBA1101M
IC
SO-8
可供量大可议
VBA1101M
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单个N型MOSFET， 采用Trench工艺， 具有广泛的应用潜力， 可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中。 SOP8； N—Channel沟道, 100V； 4.2A； RDS(ON)=124mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
Brand
VBsemi
Package
SO-8
Stock
37
货期
现货
VBA1101MParameters
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 37 |
VBA1101M概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单个N型MOSFET， 采用Trench工艺， 具有广泛的应用潜力， 可用于各种需要低功率和高性能的电源控制和驱动应用中。 SOP8； N—Channel沟道, 100V； 4.2A； RDS(ON)=124mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
VBA1101M特性
暂无产品特性。
VBA1101M应用领域
暂无应用领域。