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VB7202M
IC

TSOP-6

可供量大可议

VB7202M

SOT23-6; N—Channel沟道, 200V; 4A; RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V; 是一款低功耗、高性能的单路N沟道场效应管, 采用Trench技术, 适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块。

品牌

VBsemi

封装

TSOP-6

库存

10

货期

现货

VB7202M参数

封装TSOP-6
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

VB7202M概述

SOT23-6; N—Channel沟道, 200V; 4A; RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V; 是一款低功耗、高性能的单路N沟道场效应管, 采用Trench技术, 适用于需要高性能、低功耗的电子设备和模块。

VB7202M特性

暂无产品特性。

VB7202M应用领域

暂无应用领域。

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