VB60100C-E3/4W
IC
TO-263AB(D2PAK)
可供量大可议
VB60100C-E3/4W
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为245℃（适用于TO-263AB封装）。 符合JESD 22-B106， 焊接浴温度最大275℃， 持续10s（适用于TO-220AB）。 应用：高频转换器。 开关电源
品牌
VISHAY
封装
TO-263AB(D2PAK)
库存
9
货期
现货
VB60100C-E3/4W参数
| 封装 | TO-263AB(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 9 |
VB60100C-E3/4W概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为245℃（适用于TO-263AB封装）。 符合JESD 22-B106， 焊接浴温度最大275℃， 持续10s（适用于TO-220AB）。 应用：高频转换器。 开关电源
VB60100C-E3/4W特性
暂无产品特性。
VB60100C-E3/4W应用领域
暂无应用领域。