VB5610N
IC
TSOP-6
可供量大可议
VB5610N
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-6； N+P—Channel沟道, ±60V； ±4A； RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1/-1V； 是一款DualN+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和模块。
品牌
VBsemi
封装
TSOP-6
库存
81
货期
现货
VB5610N参数
| 封装 | TSOP-6 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 81 |
VB5610N概述
台积电流片， 长电科技封装； SOT23-6； N+P—Channel沟道, ±60V； ±4A； RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1/-1V； 是一款DualN+P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种电子领域和模块。
VB5610N特性
暂无产品特性。
VB5610N应用领域
暂无应用领域。