VB2355

台积电流片， 长电封测。 VBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管（MOSFET）， 是一种灵活多用、性能稳定的电子元件， 适用于各种不同的领域和模块。 VDS（漏极-源极电压）为-򬓹 򏟋 V， VGS（栅极-源极电压）范围为±򘞟 򏟋 V， 阈值电压（Vth）为-󗙻 񄂹 𛾾 V。 在VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V时的导通电阻为𢺫 󺺆 mΩ， 在VGS=󗙻 򏟋 V时为󺺆 𮧂 mΩ， 最大漏极电流（ID）为-𢺫 񄂹 𮧂 A（负数表示为P沟道器件）， 这些MOSFET采用Trench技术制造， 封装形式为SOT򘞟 򬓹 -򬓹。