VB20150S-E3/8W
IC
TO-263AB(D2PAK)
可供量大可议
VB20150S-E3/8W
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。 焊锡浴温度最高275℃， 持续10s， 符合JESD 22-B106（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。 应用：高频转换器。 开关电源
品牌
VISHAY
封装
TO-263AB(D2PAK)
库存
32
货期
现货
VB20150S-E3/8W参数
| 封装 | TO-263AB(D2PAK) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 32 |
VB20150S-E3/8W概述
特性：沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值245℃（适用于TO-263AB封装）。 焊锡浴温度最高275℃， 持续10s， 符合JESD 22-B106（适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装）。 应用：高频转换器。 开关电源
VB20150S-E3/8W特性
暂无产品特性。
VB20150S-E3/8W应用领域
暂无应用领域。