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VB1240B
IC

SOT-23(TO-236)

可供量大可议

VB1240B

台积电流片, 长电科技封装; 这是一款单N型MOSFET, 采用Trench工艺制造; 适用于多种领域的电路设计和模块应用。 SOT23; N—Channel沟道, 20V; 6A; RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.45~1V

品牌

VBsemi

封装

SOT-23(TO-236)

库存

40

货期

现货

VB1240B参数

封装SOT-23(TO-236)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 10
分类场效应管(MOSFET)
库存40

VB1240B概述

台积电流片, 长电科技封装; 这是一款单N型MOSFET, 采用Trench工艺制造; 适用于多种领域的电路设计和模块应用。 SOT23; N—Channel沟道, 20V; 6A; RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V; Vth=0.45~1V

VB1240B特性

暂无产品特性。

VB1240B应用领域

暂无应用领域。

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