VB1204M
IC
SOT-23(TO-236)
可供量大可议
VB1204M
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N沟道功率MOSFET。 采用Trench技术制造。 该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻， 设计用于小电流和高压应用， 适用于各种低功耗电子设备和模块。 SOT23； N—Channel沟道, 200V； 0.6A； RDS(ON)=1400mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~4.5V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23(TO-236)
库存
105
货期
现货
VB1204M参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 105 |
VB1204M概述
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N沟道功率MOSFET。 采用Trench技术制造。 该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻， 设计用于小电流和高压应用， 适用于各种低功耗电子设备和模块。 SOT23； N—Channel沟道, 200V； 0.6A； RDS(ON)=1400mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~4.5V
VB1204M特性
暂无产品特性。
VB1204M应用领域
暂无应用领域。