VB1101M
IC
SOT-23
可供量大可议
VB1101M
台积电流片， 长电科技封装； 一款小型单N沟道MOSFET， 适用于低功率电源和信号处理应用, 包括电子产品驱动、便携式电子设备和消费类电子产品等， 具有广泛的应用前景。 封装紧凑， 性能稳定， 可满足小型设备和电路的功率控制需求。 SOT23-3； N—Channel沟道, 100V； 4.3A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.8V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23
库存
75
货期
现货
VB1101M参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
VB1101M概述
台积电流片， 长电科技封装； 一款小型单N沟道MOSFET， 适用于低功率电源和信号处理应用, 包括电子产品驱动、便携式电子设备和消费类电子产品等， 具有广泛的应用前景。 封装紧凑， 性能稳定， 可满足小型设备和电路的功率控制需求。 SOT23-3； N—Channel沟道, 100V； 4.3A； RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.8V
VB1101M特性
暂无产品特性。
VB1101M应用领域
暂无应用领域。