V8P6HM3_A/H
IC
TO-277A
可供量大可议
V8P6HM3_A/H
特性：非常薄的外形， 典型高度为1.1mm。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 正向压降小， 功率损耗低。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为260℃。 应用：用于低压高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用
品牌
VISHAY
封装
TO-277A
库存
683
货期
现货
V8P6HM3_A/H参数
| 封装 | TO-277A |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 683 |
V8P6HM3_A/H概述
特性：非常薄的外形， 典型高度为1.1mm。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 正向压降小， 功率损耗低。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， LF最大峰值为260℃。 应用：用于低压高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用
V8P6HM3_A/H特性
暂无产品特性。
V8P6HM3_A/H应用领域
暂无应用领域。