V8P12-M3/86A
IC
TO-277A
可供量大可议
V8P12-M3/86A
特性：非常低的外形。 典型高度为1.1mm。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 应用：低压高频逆变器。 续流
品牌
VISHAY
封装
TO-277A
库存
440
货期
现货
V8P12-M3/86A参数
| 封装 | TO-277A |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 440 |
V8P12-M3/86A概述
特性：非常低的外形。 典型高度为1.1mm。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降， 低功率损耗。 高效运行。 应用：低压高频逆变器。 续流
V8P12-M3/86A特性
暂无产品特性。
V8P12-M3/86A应用领域
暂无应用领域。