V8KM60DU-M3/I
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
V8KM60DU-M3/I
特性：沟槽MOS肖特基技术可用。 正向压降小， 功率损耗低。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， RoHs LF最高峰值260°C。 可提供AEC-Q101认证。 汽车订购代码：基础型号P/N HM3。 应用：用于低压高频DC/DC转换器。 续流二极管
品牌
VISHAY
封装
DFN-8(5x6)
库存
1,316
货期
现货
V8KM60DU-M3/I参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 1316 |
V8KM60DU-M3/I概述
特性：沟槽MOS肖特基技术可用。 正向压降小， 功率损耗低。 高效运行。 符合J-STD-020的MSL 1级， RoHs LF最高峰值260°C。 可提供AEC-Q101认证。 汽车订购代码：基础型号P/N HM3。 应用：用于低压高频DC/DC转换器。 续流二极管
V8KM60DU-M3/I特性
暂无产品特性。
V8KM60DU-M3/I应用领域
暂无应用领域。