V5PA22-M3/I
IC
DO-221BC(SMPA)
可供量大可议
V5PA22-M3/I
特性：非常低的外形。 典型高度为0.95mm。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗， 高效率。 低正向压降。 符合J-STD-020的MSL 1级， LE最大峰值为260℃。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器， 以及商业和汽车应用中的极性保护
品牌
VISHAY
封装
DO-221BC(SMPA)
库存
19
货期
现货
V5PA22-M3/I参数
| 封装 | DO-221BC(SMPA) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 19 |
V5PA22-M3/I概述
特性：非常低的外形。 典型高度为0.95mm。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗， 高效率。 低正向压降。 符合J-STD-020的MSL 1级， LE最大峰值为260℃。 应用：用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器， 以及商业和汽车应用中的极性保护
V5PA22-M3/I特性
暂无产品特性。
V5PA22-M3/I应用领域
暂无应用领域。