V4N65
IC
TO-251W
可供量大可议
V4N65
V4N65是一款高压功率MOSFET， 它采用先进的沟槽MOSFET设计， 具备更优的特性， 如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。 这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
品牌
晶导微电子
封装
TO-251W
库存
4
货期
现货
V4N65参数
| 封装 | TO-251W |
|---|---|
| 品牌 | 晶导微电子 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
V4N65概述
V4N65是一款高压功率MOSFET， 它采用先进的沟槽MOSFET设计， 具备更优的特性， 如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。 这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
V4N65特性
暂无产品特性。
V4N65应用领域
暂无应用领域。